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元件参数资料
>
参数目录38507
> IRF6637TR1 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
型号:
IRF6637TR1
RoHS:
否
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF6637TR1 PDF
产品变化通告
(EP) Parts Discontinuation 25/May/2012
产品目录绘图
IR Hexfet Circuit
DirectFET
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
7.7 毫欧 @ 14A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.35V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1330pF @ 15V
功率 - 最大
2.3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET? 等容 MP
供应商设备封装
DIRECTFET? MP
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1525 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRF6637TR1CT
查看IRF6637TR1代理商
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